Notice: Function _load_textdomain_just_in_time was called incorrectly. Translation loading for the advanced-cron-manager domain was triggered too early. This is usually an indicator for some code in the plugin or theme running too early. Translations should be loaded at the init action or later. Please see Debugging in WordPress for more information. (This message was added in version 6.7.0.) in /www/wwwroot/www.help4uu.com/wp-includes/functions.php on line 6121
国产存储芯片大突破：石墨烯材料，速度提升十万倍，复旦研发 | 科技云
  1. 科技云首页
  2. 产品

国产存储芯片大突破：石墨烯材料，速度提升十万倍，复旦研发

甚平 • • 产品 • 阅读 25

目前主流的存储芯片，主要分为两种。

一种是易失性存储器，就是我们常用的内存，比如SRAM和DRAM，读写速度非常快，但是有一个缺点，那就是一断电数据就没有了。

一种是非易性存储器，就是我们常用的闪存，比如SSD硬盘、U盘、SD卡这些，相对于内存，读写速度会慢很多，但有一个优点，那就是断电后，数据还是保存好的，不会丢失。

国产存储芯片大突破：石墨烯材料，速度提升十万倍，复旦研发

那么有没有可能，有一种芯片，不但有读写速度快的优点，同时也在断电后数据不丢失呢？

毕竟随着科技越来越发达，数据越来越大，比如视频文件，动不动就几十个GB，甚至上百GB，如果还是以前那种速度慢的非易性存储器，拷贝起来，需要很长时间。

很多时候，因为数据传输不够快，已经影响到一些设备的性能发挥了，因为芯片再快，算法再厉害，数据传输不过来，就都是假的。

国产存储芯片大突破：石墨烯材料，速度提升十万倍，复旦研发

而近日，上海复旦大学实验室，就研发出了一种这种存储芯片，名为“破晓”（PoX）。

它比米粒还小，但速度非常快，写入速度低至400皮秒 ——一万亿分之一秒，是现有这种类型芯片的十万倍提速，同时它也是一种非易失性存储器，就是断电后，数据不丢失，可以用于SSD、U盘、SD卡上的芯片。

国产存储芯片大突破：石墨烯材料，速度提升十万倍，复旦研发

那么是怎么做到的呢？其实是采用了新材料。

以往的这些NAND闪存等，采用的均是硅基材料，但复旦大学研发团队采用的是狄拉克石墨烯，这种材料被认为是“材料界超导体”，电子在里面非常活跃，所以数据传输数据快，写入速度低至400皮秒，和硅基芯片完全就不是一个级别的。

另外为了让速度更快，复旦的研究团队，还创造出了一种全新的“二维超注入”效应算法，可以让数据更快的写入芯片中。

国产存储芯片大突破：石墨烯材料，速度提升十万倍，复旦研发

目前这项研究已经被国际顶刊《自然》收录了，并且关键的是，这可不是PPT，或者只是理论性的，这样的芯片也已经流片出来了。

而一旦流片出来，就意味着离量产上市，也并不太远了，一旦这种芯片面市，那么现在的这种NAND闪存芯片，估计就可以扔掉了，完全不是对手。

接下来，就让我们期待一下，这种全新的存储芯片上市了，而我们如果在这样的芯片上抢占先机，那么估计就改写整个存储芯片行业的格局。

文章来源于互联网:凤凰网-国产存储芯片大突破：石墨烯材料，速度提升十万倍，复旦研发

赞 (0)
甚平甚平
0 0
上一篇 2025年 4月 23日 pm6:53
下一篇 2025年 4月 23日 pm7:23

相关推荐

发表回复

您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注

记住昵称、邮箱和网址，下次评论免输入