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国产存储芯片大突破：石墨烯材料，速度提升十万倍，复旦研发

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目前主流的存储芯片，主要分为两种。

一种是易失性存储器，就是我们常用的内存，比如SRAM和DRAM，读写速度非常快，但是有一个缺点，那就是一断电数据就没有了。

一种是非易性存储器，就是我们常用的闪存，比如SSD硬盘、U盘、SD卡这些，相对于内存，读写速度会慢很多，但有一个优点，那就是断电后，数据还是保存好的，不会丢失。

国产存储芯片大突破：石墨烯材料，速度提升十万倍，复旦研发

那么有没有可能，有一种芯片，不但有读写速度快的优点，同时也在断电后数据不丢失呢？

毕竟随着科技越来越发达，数据越来越大，比如视频文件，动不动就几十个GB，甚至上百GB，如果还是以前那种速度慢的非易性存储器，拷贝起来，需要很长时间。

很多时候，因为数据传输不够快，已经影响到一些设备的性能发挥了，因为芯片再快，算法再厉害，数据传输不过来，就都是假的。

国产存储芯片大突破：石墨烯材料，速度提升十万倍，复旦研发

而近日，上海复旦大学实验室，就研发出了一种这种存储芯片，名为“破晓”（PoX）。

它比米粒还小，但速度非常快，写入速度低至400皮秒 ——一万亿分之一秒，是现有这种类型芯片的十万倍提速，同时它也是一种非易失性存储器，就是断电后，数据不丢失，可以用于SSD、U盘、SD卡上的芯片。

国产存储芯片大突破：石墨烯材料，速度提升十万倍，复旦研发

那么是怎么做到的呢？其实是采用了新材料。

以往的这些NAND闪存等，采用的均是硅基材料，但复旦大学研发团队采用的是狄拉克石墨烯，这种材料被认为是“材料界超导体”，电子在里面非常活跃，所以数据传输数据快，写入速度低至400皮秒，和硅基芯片完全就不是一个级别的。

另外为了让速度更快，复旦的研究团队，还创造出了一种全新的“二维超注入”效应算法，可以让数据更快的写入芯片中。

国产存储芯片大突破：石墨烯材料，速度提升十万倍，复旦研发

目前这项研究已经被国际顶刊《自然》收录了，并且关键的是，这可不是PPT，或者只是理论性的，这样的芯片也已经流片出来了。

而一旦流片出来，就意味着离量产上市，也并不太远了，一旦这种芯片面市，那么现在的这种NAND闪存芯片，估计就可以扔掉了，完全不是对手。

接下来，就让我们期待一下，这种全新的存储芯片上市了，而我们如果在这样的芯片上抢占先机，那么估计就改写整个存储芯片行业的格局。

文章来源于互联网:凤凰网-国产存储芯片大突破：石墨烯材料，速度提升十万倍，复旦研发

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