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IT之家 12 月 12 日消息,韩媒 chosun 昨日(12 月 11 日)发布博文,报道称三星电子高管透露,第 2 代 3nm GAA(Gate-All-Around)工艺进入稳定阶段,并称 System SLI 和代工厂事业部之间已结束“互相推诿责任”,改而合作推进新芯片商用。
Exynos 2500 的研发目标是 Galaxy S25 系列,但受三星晶圆代工( Foundry)事业部 3 纳米制程良率低下的制约,以及性能方面落后于高通骁龙系列的因素,导致整个移动 AP 业务陷入危机。
而最新消息称三星已解决 3 纳米良率问题,为 Exynos 2500 的应用铺平了道路,但报告中并未提及具体良率比例。
三星电子高管向该媒体透露,IT之家翻译如下:
在 3 纳米第 2 代晶圆代工工艺中,首次应用了全环绕晶体管(GAA)技术,确实在量产方面遇到了一些困难。
但现在工艺已经稳定,开始量产只是时间问题。由于初期产量不足,Galaxy S25 系列可能难以搭载该技术,但 Z Flip 系列(应该是指 Galaxy Z Flip7 和 Galaxy Z Flip FE)完全可以搭载该芯片。
一直以来,Exynos 2500 的商业化之路并不顺利,晶圆代工事业部和系统 LSI 事业部之间互相推诿责任是事实。但是现在,为了稳定工艺,双方已达成协议,最大限度地加强合作。
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文章来源于互联网:IT之家-消息称三星第 2 代 3nm GAA 工艺良率已改善,Galaxy Z Flip7 小折叠手机将搭载 Exynos 2500 芯片