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SK海力士宣布量产321层1Tb TLC 4D NAND闪存,计划2025上半年对外出货 | 科技云

SK海力士宣布量产321层1Tb TLC 4D NAND闪存,计划2025上半年对外出货

IT之家 11 月 21 日消息,SK 海力士刚刚宣布开始量产全球最高的 321 层 1Tb(太比特)TLC(Triple Level Cell)4D NAND 闪存。

据介绍,此 321 层产品与上一代相比数据传输速度和读取性能分别提高了 12% 和 13%,并且数据读取能效也提高 10% 以上。

SK海力士宣布量产321层1Tb TLC 4D NAND闪存,计划2025上半年对外出货

SK 海力士表示:“公司从 2023 年 6 月量产当前最高的上一代 238 层 NAND 闪存产品,并供应于市场,此次又率先推出了超过 300 层的 NAND 闪存,突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供 321 层产品,由此应对市场需求。”

SK海力士宣布量产321层1Tb TLC 4D NAND闪存,计划2025上半年对外出货

据介绍,SK 海力士在此次产品开发过程中采用了高效的“3-Plug”工艺技术,克服了堆叠局限。

IT之家查询获悉,该技术分三次进行通孔工艺流程,随后经过优化的后续工艺将 3 个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料,引进了通孔间自动排列(Alignment)矫正技术。

此外,SK 海力士技术团队也将上一代 238 层 NAND 闪存的开发平台应用于 321 层,由此最大限度地减少了工艺变化,与上一代相比,其生产效率提升了 59%。

文章来源于互联网:凤凰网-SK海力士宣布量产321层1Tb TLC 4D NAND闪存,计划2025上半年对外出货

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