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三星Galaxy Watch7/Ultra发布:搭载3nm芯片,传采用GAA晶体管 | 科技云

三星Galaxy Watch7/Ultra发布:搭载3nm芯片,传采用GAA晶体管

三星Galaxy Watch7/Ultra发布:搭载3nm芯片,传采用GAA晶体管

三星于7月10日召开发布会,正式推出Galaxy Watch7/Ultra智能手表,售价1999元至5199元,均搭载3nm处理器,5核设计。三星表示,新一代强大处理器为众多功能提供强大动力,此外还优化了电池续航时间。两款手表均采用蓝宝石水晶玻璃,具有IP68防水能力以及MIL-STD-810H认证,产品内置32GB存储空间,均支持双频GPS、蓝牙连接以及可选LTE蜂窝移动网版本。

三星Galaxy Watch7/Ultra发布:搭载3nm芯片,传采用GAA晶体管

三星Galaxy Watch7/Ultra发布:搭载3nm芯片,传采用GAA晶体管

研究机构TechInsights此前曾发现,三星第一代SF3E(3nm制程)工艺芯片于2023年推出,采用业界领先的GAA(全环绕栅极)晶体管设计,是未来制造更小制程芯片的关键技术。该工艺最早在一款小批量生产的加密货币矿机MicroBT WhatsMiner M56S++中发布。

该机构表示,预计三星Galaxy Watch 7的3nm芯片中,同样采用GAA技术。

TechInsights分析,2023年三星生产的SF3E工艺技术,是他们第一代多桥通道场效应晶体管(Multi-Bridge-Channel FET, MBCFETTM)。这是一种全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管设计。这种新型晶体管架构在业界尚属首次,是下一代逻辑器件的关键技术,因为FinFET(鳍式晶体管)技术在进一步缩小尺寸方面面临限制。

机构表示,与FinFET相比,GAA晶体管具有更优异的静电特性和驱动电流、更好的短沟道控制能力、优化的功耗和更大的灵活性。机构在报告中表示,“除此之外,没有三星或其他供应商确认将该技术应用于其他主要产品的设计,因此有人推测三星正在解决这一早期版本在生产良率方面的问题。”

文章来源于互联网:凤凰网-三星Galaxy Watch7/Ultra发布:搭载3nm芯片,传采用GAA晶体管

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