华为Pura 70 Pro拆解：内部元器件90%是国产！

甚平 • 2024年 7月 6日 am10:23 • 手机 • 阅读 201

今年4月18日，华为Pura70系列（原P70系列）在没有产品发布会的情况下直接正式开售，这款搭载了华为最新的Kirin 9010处理器的手机也引发了国内网友的抢购。

近日，国外拆解机构iFixit联合其合作伙伴TechSearch International对于Pura 70 Pro进行了拆解，并分析了其主板上相关元器件。

先来看SoC处理器所在这一面的主板，与许多现代手机处理器与DRAM封装一样，Kirin 9010 处理器是堆叠在12GB SK Hynix DRAM芯片下方。

取下SK Hynix DRAM芯片之后，我们看到该面主板上的主要元器件型号如下：

△红色：海思 Hi36A0 GFCV121（Kirin 9010）

橙色：3GC10D95FV0YG 1 TB NAND Flash

黄色：立锜RT9471D 3 A 单节开关电池充电管理IC

绿色：南芯（Southchip）SC8565可能是开关电容器电源转换器

天蓝色：艾为（Awinic）AW86927触觉驱动器

蓝色：力芯微（ETEK Microelectronics） ET7303 USB Type-C 供电控制器

紫色：圣邦微（SG Micro）SGM6611C 7A同步升压转换器

△红色：力芯微ET2095负载开关

橙色：艾为AW32905过压保护负载开关

黄色：圣邦微SGM2578AAD负载开关

绿色：海思Hi1105 GFCV120 WiFi 6、蓝牙、GNSS、FM 和红外控制器

仔细观察Kirin 9010芯片，可以看到芯片外部标记似乎与旧版 Kirin 9000S 相近。iFixit的一位行业专家指出，该芯片标识并不寻常，因为新芯片通常有自己的型号，而Kirin 9010（型号 HI36A0 修订版 GFCV121）与Kirin 9000S（型号 HI36A0 修订版 GFCV120）则是共享相同的型号。

之前TechInsights报告称，Kirin9010 似乎采用了与Kirin9000s 相同的制程工艺。普遍的看法是，Kirin 9010 的核心基于Kirin 9000S的设计的修改，旨在提高产量。不过，这些改进可能不仅限于生产——早期的基准测试表明Kirin 9010 的性能也比Kirin 9000S提升了一些。

对比Kirin 9000S、Kirin 9010 和高通骁龙 8 Gen 3 之间的基准测试，可以看出Kirin 9010 的性能确实要比Kirin 9000S提升了个位数百分比，但是远低于台积电 N4P 制造的高通骁龙8 Gen 3。

为了实现这些个位数百分比的性能提升，Kirin 9010 的 12 核 SoC 使用六个运行频率为 1.55GHz 的 ARM Cortex-A510 效率核心，搭配四个运行频率为 2.18GHz 的 Taishan v121 核心和两个运行频率为 2.3GHz 的 Taishan v121 核心。

拆解报告还显示，华为Pura 70 Pro 内部搭载了 1TB NAND Flash闪存。从TechSearch 基于X射线照片的分析来看，倒装芯片连接的闪存控制器芯片顶部有八个 NAND Flash die，即该1TB NAND Flash闪存内部由8个NAND Flash芯片与闪存控制器堆叠而成。