Notice: Function _load_textdomain_just_in_time was called incorrectly. Translation loading for the advanced-cron-manager domain was triggered too early. This is usually an indicator for some code in the plugin or theme running too early. Translations should be loaded at the init action or later. Please see Debugging in WordPress for more information. (This message was added in version 6.7.0.) in /www/wwwroot/www.help4uu.com/wp-includes/functions.php on line 6121
三星否认HBM内存芯片未通过英伟达测试 | 科技云

三星否认HBM内存芯片未通过英伟达测试

5月27日消息,关于三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片未能通过英伟达测试的传闻引发了行业的热议。一些“知情人士”声称,三星的芯片面临发热和功耗等问题。

三星否认HBM内存芯片未通过英伟达测试
三星否认HBM内存芯片未通过英伟达测试

然而,韩国媒体Business Korea报道称,三星电子已经发布声明否认了这些报道。他们声称正在与多家全球合作伙伴一起进行顺利的HBM芯片测试,并与其他商业伙伴合作,以确保产品质量和可靠性。

三星最近开始批量生产第五代HBM芯片,即24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的HBM3E产品。与竞争对手SK海力士和美光不同的是,三星在这些HBM3E产品上仍然采用1a nm颗粒而非1b nm制程DRAM裸片,这导致其在能耗方面存在一定劣势。加上此次负面报道的影响,一些分析师开始怀疑三星是否有能力迅速夺回来自SK海力士的市场份额。

文章来源于互联,不代表科技云立场!如有侵权,请联系我们。

发表回复

您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注