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消息称SK海力士HBM4内存基础裸片有望采用台积电7nm制程 | 科技云

消息称SK海力士HBM4内存基础裸片有望采用台积电7nm制程

IT之家 4 月 23 日消息,韩媒 The Elec 在报道中表示,预测 SK 海力士将在 HBM4 内存的基础裸片(Base Die)部分采用台积电 7nm 制程。

IT之家注:目前台积电 7nm 系产能大部分已迁移至 6nm 变体,因此韩媒的表达更适合作为“7nm 系”制程理解。

HBM 内存的基础裸片是 DRAM 堆叠的底座,同时也作为控制器负责同处理器进行通信。

SK 海力士上周同台积电签署了 HBM 内存合作谅解备忘录,双方的首个合作重点就是 HBM 基础逻辑芯片的性能改善。

SK 海力士此前在 HBM 产品中采用存储半导体工艺制造基础裸片;而在 HBM4 中,台积电将采用先进逻辑工艺为 SK 海力士代工,以实现更丰富的功能和更加优异的功效,有助于满足客户对定制化 HBM 的需求。

SK 海力士目标到 2026 年实现 HBM4 内存投产。

咨询机构 TrendForce 集邦咨询持有不同于 The Elec 的看法,其在去年 11 月认为 HBM4 的基础裸片将基于 12nm 工艺。

文章来源于互联网:凤凰网-消息称SK海力士HBM4内存基础裸片有望采用台积电7nm制程

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