Notice: Function _load_textdomain_just_in_time was called incorrectly. Translation loading for the advanced-cron-manager domain was triggered too early. This is usually an indicator for some code in the plugin or theme running too early. Translations should be loaded at the init action or later. Please see Debugging in WordPress for more information. (This message was added in version 6.7.0.) in /www/wwwroot/www.help4uu.com/wp-includes/functions.php on line 6121
智己汽车因标注错误发致歉函 但致歉函中也有错误 | 科技云

智己汽车因标注错误发致歉函 但致歉函中也有错误

在近日的智己L6超级智能轿车发布会上,智己在介绍L6时将“智己L6超强性能版”与“小米SU7 Max”进行对比。智己错误地将小米SU7 Max的电机参数标注为“前IGBT后SiC”(实际前后均为SiC)。

对于此问题,智己汽车科技有限公司联席CEO刘涛以及智己汽车官方均发布了致歉声明。

两次致歉

第一次致歉是智己汽车联席CEO刘涛在微博上发布的致歉声明。

智己汽车联席CEO刘涛称:“由于产品信息的调研结果有误,发布会上有一处信息错误。

小米SU7跟智己L6一样,都是前后电机都使用SIC碳化硅模块,小米SU7确实是我们非常尊敬的竞争队友!

在此,我诚挚地向小米汽车和大家致歉。”

对于这样的致歉声明,小米公司并不买账。小米公司表示:我们不接受个人轻描淡写的非正式的道歉。我们再次敦促智己公司,立即公开澄清,并向被其误导的公众正式道歉!

需要注意的是,智己汽车联席CEO刘涛在本次致歉中将“SiC”(碳化硅)错误地写成了“SIC”。不过毕竟这是“个人轻描淡写的非正式的道歉”,有些错误和笔误似乎也可以理解。

在第二次致歉中,智己汽车官方发布了正式的“致歉函”。

在致歉函中,智己汽车称:“在刚刚结束的「超越一切向往」智己L6超级智能轿车发布会过程中,对标近期同级流量热议的小米SU7产品力介绍过程中,由于团队内容审核疏漏,造成一处关键参数的错误标注,澄清如下:

小米SU7 Max版前后电机均采用SIC碳化硅模块,与智己L6所采用的技术一致,均为行业顶尖的技术标准。

小米汽车及旗下产品SU7,是我们尊敬的竞争队友!由于内审出现疏漏,造成对小米汽车的负面影响,我们深表歉意,也向所有粉丝、用户们诚挚致歉!”

相信大家不难发现,在这篇盖有“智己汽车科技有限公司公关部”公章的致歉函中,智己汽车依旧把“SiC”(碳化硅)错误地写成了“SIC”。如果说前面联席CEO刘涛发布的“个人致歉声明”中写错算笔误的话,但这种盖有公章的文件也写错就确实有点不应该了。

截至发稿时,相关错误已被官方修正。

初中化学错误

随着技术的日新月异,科技领域不断孕育出众多专业术语,这无疑为非本专业人士在撰写相关文章时带来了不小的挑战。他们在尝试运用这些术语时,偶尔出现误用或误解的情况也是情有可原的。

不过应该有不少接受过九年义务教育的朋友已经发现了,智己汽车在致歉函中的错误属于“初中化学错误”。

以2019-2020学年初中化学《物质构成的奥秘》专项训练模拟测试中的某题为例,该题的第五小问为:“已知碳化硅中碳元素显-4价,硅元素显+4价,碳化硅的化学式为__.”

由此我们不难看出,正确书写碳化硅的化学式是初中化学的基本要求。

另外以2023届江西省九江市修水县九年级化学第一学期期末统考试中的某题为例:

华为公司致力于核心技术的研发,其自主研制的芯片已达到世界领先水平。该芯片的主要材料是高纯度的单质硅,其结构类似于金刚石。下列有关硅的说法正确的是

A.元素符号为SI

B.属于非金属元素

C.硅是地壳中含量最多的元素

D.单质硅由分子构成

其中A选项由于硅元素符号为Si,故说法错误。

由于该选择题属于“简单题”,所以我们可以相信大多数初中考生不会将“Si”(硅)错误地写成“SI”。同理,也不会将“SiC”(碳化硅)错误地写成了“SIC”。

小米汽车产品经理评价:请学习并尊重技术

新浪微博上,小米汽车产品经理 @潘晓晓晓晓晓晓晓雯 发文表示;“碳化硅怎么写:SiC,请学习并尊重技术。”

她还向网友表示:“我们常说的IGBT/SiC是指代电驱控制器中的功率模块。是由一到多组功率芯片并联组成的开关电路。有以Si为材料IGBT构型的芯片,有以SiC为材料MOSFET为构型的芯片(对,IGBT是构型,SiC是指芯片材料)。

功率模块负责将电池的直流电转化为交流电驱动电机,重要程度可想而知。SiC MOSFET相比Si IGBT几乎没有开关损耗。

因为SiC的制造工艺难度高,得片率、良品率低,导致SiC相比于Si,价格还在2~5倍。

这个配置非常昂贵,我们天天拉着工程师拆解技术。只有对它的原理、作用、发展趋势都要了解,才能做出正确的取舍。”

文章来源于互联网:智己汽车因标注错误发致歉函 但致歉函中也有错误-如有侵权可联系删除

发表回复

您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注