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英特尔Intel宣布实现3D先进封装技术Foveros的大规模量产

娜美 • • 新闻 • 阅读 137

英特尔Intel宣布，已实现基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产，其中包括其突破性的3D封装技术Foveros。这项技术是在英特尔最新完成升级的美国新墨西哥州Fab 9工厂投产的。

英特尔公司Intel执行副总裁兼首席全球运营官Keyvan Esfarjani表示：“先进封装技术让英特尔脱颖而出，帮助我们的客户在芯片产品的性能、尺寸，以及设计应用的灵活性方面获得竞争优势。”

随着半导体行业进入异构时代，英特尔Intel的Foveros和EMIB等先进封装技术成为行业内关注的焦点。这些技术可以实现单个封装中集成一万亿个晶体管，并在2030年后继续推进摩尔定律。

据了解，英特尔Intel的3D先进封装技术Foveros在处理器的制造过程中，能够以垂直而非水平方式堆叠计算模块。这种技术让英特尔及其代工客户能够集成不同的计算芯片，优化成本和能效。英特尔计划到2025年时，其3D Foveros封装的产能将增加四倍。

这一进展不仅可以在芯片产品的性能、尺寸以及设计应用的灵活性方面获得竞争优势，还将推动英特尔Intel下一阶段的先进封装技术创新。对于半导体行业而言，这是一个重要的里程碑，预示着未来的发展前景。

随着摩尔定律的不断推进，半导体封装技术也在不断演进。英特尔Intel的Foveros技术作为行业领先的3D封装解决方案，将为未来的半导体产业带来更多的创新和变革。

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