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Samsung三星开发新型LLW DRAM:功耗更低 | 科技云

Samsung三星开发新型LLW DRAM:功耗更低

据外媒报道,三星正研发一种新型存储LLW DRAM,它可以将高宽带、低延迟、低功耗的特性结合到一起,未来它将出现在不同客户端的工作负载中。

LLW DRAM作为一种低功耗内存,拥有宽I/O、低延迟、每个模块/堆栈提供了128GB/s的带宽,与一个128位DDR5-8000内存子系统的带宽相同。

同时,LLW DRAM还有另一个重要特性,就是1.2pJ/bit的超低功耗,不过三星没有告知该功耗下的具体数据传输速率。

据了解,LLW DRAM在设计上可能会借鉴GDDR6W,并采用扇出晶圆级封装(FOWLP)技术将多个DRAM集成到一个封装中。

目前三星已公布技术的预期性能细节,根据过往经验,这项技术或许已经到开发阶段的尾声,让我们拭目以待。

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