快科技2月2日消息,据国外媒体报道称,长江存储目前已开始出货第五代3D TLC NAND闪存(闪存中使用了Xtacking 4.0架构),共有294层,以及232个有源层。
报道中提到,长江存储已经在新的闪存上追赶上韩国、美国等头部存储企业。
具体来说,长江存储第五代3D TLC NAND闪存的位密度据称超过了20Gb/mm(利用混合键合技术将闪存阵列与CMOS逻辑和接口连接起来,以最大限度地提高存储密度和I/O性能),略低于铠侠和西部数据BiCS8 QLC NAND 闪存的22.9Gb/mm,但整体表现已经非常厉害了。
按照行业人士的说法,目前长江存储已成功将其闪存密度提高到行业相同的水平,该公司现已成为全球NAND市场的有力竞争者。
文章来源于互联网:凤凰网-消息称长江存储出货第五代3D TLC闪存:总层数达294层
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