快科技5月7日消息,据外媒报道,三星电子已开始量产其首款3nm Gate All Around(GAA)工艺的片上系统(SoC),预计该芯片预计将用于Galaxy S25系列。
据悉,这款高性能移动芯片包括CPU、GPU和Synopsis的多个IP块。
据报道,三星使用Synopsys.ai EDA软件来提高芯片性能和产量。
此外,工程师还使用Synopsys Fusion Compiler(电子设计自动化工具)来实现更高的性能、更低的功耗并优化芯片面积。
三星和Synopsis声称,后者的设计自动化工具有助于将芯片的频率提高300MHz,同时将功耗降低10%。
这些工具包括设计分区优化、多源时钟树综合(MSCTS)、智能线优化和更简单的分层方法。
三星以前生产的芯片在持续使用情况下,常常会出现耗电量大和性能下降的问题,如今三星推出的GAA技术,有望解决这类问题。
文章来源于互联网:快科技-三星开始量产首款3nm Exynos芯片:Galaxy S25有望首发
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