Notice: Function _load_textdomain_just_in_time was called incorrectly. Translation loading for the advanced-cron-manager domain was triggered too early. This is usually an indicator for some code in the plugin or theme running too early. Translations should be loaded at the init action or later. Please see Debugging in WordPress for more information. (This message was added in version 6.7.0.) in /www/wwwroot/www.help4uu.com/wp-includes/functions.php on line 6121
三星明年量产430层闪存！但有人瞄准了1000+层 | 科技云
  1. 科技云首页
  2. 产品

三星明年量产430层闪存！但有人瞄准了1000+层

甚平 • • 产品 • 阅读 95

三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存，可用的堆叠层数达290层，相比现在的236层只增加不到23％。

这一代新闪存将采用新的堆叠架构，底部是CMOS层加逻辑电路，上边是145层闪存阵列，再上边又是145层闪存阵列。

这种方法虽然更复杂，但是良品率可以得到很好的保障，而且可以轻松进一步拓展。

按照三星的规划，2025年下半年将量产第十代V-NAND，进一步堆叠到430层。

更遥远的未来，三星可能会在2030年左右做到1000层。

中国长江存储可能会在今年下半年量产300层，SK海力士计划明年初量产321层，铠侠号称2031年量产1000多层！

三星明年量产430层闪存！但有人瞄准了1000+层

文章来源于互联网:凤凰网-三星明年量产430层闪存！但有人瞄准了1000+层

赞 (0)
甚平甚平
0 0
上一篇 2024年 4月 29日 pm6:39
下一篇 2024年 4月 29日 pm6:39

相关推荐

发表回复

您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注

记住昵称、邮箱和网址，下次评论免输入